MT40A512M16HA-083E Pamięć flash IC Dram 8 Gbit 512Mx16

opis produktu

MT40A512M16HA-083E:A Układy scalone pamięci DRAM SDRAM - DDR4 SMD/SMT Tray

• VDD = VDDQ = 1,2 V ±60 mV

• VPP = 2,5V, –125mV, +250mV

• Wewnętrzna, regulowana generacja VREFDQ na matrycy

• We/wy pseudootwartego drenu 1,2 V

• Czas odświeżania 8192 cykli w zakresie temperatur TC: – 64 ms przy -40°C do 85°C – 32 ms przy >85°C do 95°C – 16 ms przy >95°C do 105°C

• 16 banków wewnętrznych (x4, x8): 4 grupy po 4 banki każda

• 8 banków wewnętrznych (x16): 2 grupy po 4 banki każda

• 8n-bitowa architektura pobierania wstępnego

• Programowalne preambuły strobowania danych

• Trening preambuły danych stroboskopowych

• Opóźnienie polecenia/adresu (CAL)

• Możliwość odczytu i zapisu rejestrów wielofunkcyjnych

• Poziomowanie zapisu • Tryb samoodświeżania

• Automatyczne odświeżanie o niskim poborze mocy (LPASR)

• Odświeżanie kontrolowane temperaturą (TCR)

• Odświeżanie o drobnej ziarnistości

• Przerwanie samodzielnego odświeżania

• Maksymalna oszczędność energii

• Kalibracja sterownika wyjściowego

• Nominalne, parkujące i dynamiczne zakończenie na matrycy (ODT)

• Inwersja magistrali danych (DBI) dla magistrali danych

• Parzystość polecenia/adresu (CA)

• Cykliczna kontrola nadmiarowości zapisu do magistrali danych (CRC)

• Adresowalność na DRAM

• Test łączności

• Zgodność z JEDEC JESD-79-4

• Możliwość sPPR i HPPR