|
Szczegóły Produktu:
|
|
| Miejsce pochodzenia: | Oryginał |
|---|---|
| Nazwa handlowa: | Original |
| Orzecznictwo: | ISO9001:2015standard |
| Numer modelu: | MR0A08BCYS35 |
|
Zapłata:
|
|
| Minimalne zamówienie: | 10 SZTUK |
| Cena: | Contact us to win best offer |
| Szczegóły pakowania: | Standard |
| Czas dostawy: | 1-3 dni w tygodniu |
| Zasady płatności: | L/C, T/T, Western Union, PayPal |
| Możliwość Supply: | 10000 sztuk/miesiące |
|
Szczegóły informacji |
|||
| Pakiet/szafka: | TSOP-44 | Rodzaj interfejsu: | Równoległy |
|---|---|---|---|
| Seria: | MR0A08B | Styl instalacji: | SMD/SMT |
| Typ produktu: | MRAM | Waga jednostkowa: | 5.066 g |
| High Light: | MR0A08BCYS35 MRAM,magnetorezystywna pamięć o dostępie swobodnym SMT,pamięć o dostępie swobodnym do przechowywania danych magnetorezystywna pamięć o dostępie swobodnym |
||
opis produktu
MR0A08BCYS35 Magnetorezystywna pamięć o dostępie swobodnym (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35 Pamięć Przechowywanie danych
CECHY I ZALETY
• Jedna pamięć zastępuje FLASH, SRAM, EEPROM i MRAM w systemie, zapewniając prostszą i wydajniejszą konstrukcję
• Poprawia niezawodność poprzez wymianę pamięci SRAM z podtrzymaniem bateryjnym
• Zasilanie 3,3 V
• Szybki cykl odczytu/zapisu 35 ns
• Taktowanie zgodne z SRAM
• Natywna niezmienność
• Nieograniczona wytrzymałość odczytu i zapisu
• Dane są zawsze nielotne przez >20 lat w temperaturze
• Temperatury handlowe i przemysłowe
• Wszystkie produkty spełniają poziom wrażliwości na wilgoć MSL-3
• Pakiety TSOP2 i BGA zgodne z RoHS
KORZYŚCI
• Jedna pamięć zastępuje FLASH, SRAM, EEPROM i MRAM w systemie, zapewniając prostszą i wydajniejszą konstrukcję
• Poprawia niezawodność poprzez wymianę pamięci SRAM z podtrzymaniem bateryjnym
| Kategoria produktu: | MRAM |
| TSOP-44 | |
| Równoległy | |
| 1 Mbit | |
| 128kx 8 | |
| 8 bitowy | |
| 35 ns | |
| 3 V | |
| 3,6 V | |
| 55 mA | |
| - 40 stopni Celsjusza | |
| + 85 stopni Celsjusza | |
| MR0A08B | |
| Taca | |
| Wrażliwy na wilgoć: | TAk |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Rodzaj produktu: | MRAM |
| 135 | |
| Podkategoria: | Pamięć i przechowywanie danych |
| Waga jednostkowa: | 0,178707 uncji |
Wpisz swoją wiadomość
| Walton Electronics Co., Ltd. |
| 5C, Budynek D, GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN |
| 86-0755-8835-8585 |
| Walton-cara@walton-ic.com |
