|
Szczegóły Produktu:
|
|
| Miejsce pochodzenia: | oryginał |
|---|---|
| Nazwa handlowa: | Original |
| Orzecznictwo: | ISO9001:2015standard |
| Numer modelu: | IPG20N06S4L14AATMA1 |
|
Zapłata:
|
|
| Minimalne zamówienie: | 10 sztuk |
| Cena: | pls contact us |
| Szczegóły pakowania: | Standard |
| Czas dostawy: | 2-3 dni robocze |
| Zasady płatności: | T/T, Western Union, PAYPAL |
| Możliwość Supply: | 1000 sztuk/miesiące |
|
Szczegóły informacji |
|||
| Kategoria produktu:: | MOSFET | Styl montażu: | SMD/SMT |
|---|---|---|---|
| Pakiet / Sprawa: | TDSON-8 | Biegunowość tranzystora:: | Kanał N |
| Vds — napięcie przebicia dren-źródło: | 60V | Nazwa produktu: | IPG20N06S4L14AATMA1 |
| High Light: | IPG20N06S4L14AATMA1 Tranzystor mocy,tranzystor mocy N MOSFET 40V,tranzystor IC Chip MOSFET 40V 60V |
||
opis produktu
IPG20N06S4L14AATMA1 Tranzystor mocy Kanał N MOSFET 40V 60V
Tranzystor mocy OptiMOS-T2
Cechy
• Podwójny N-kanałowy poziom logiczny — tryb wzbogacania
• Kwalifikacja AEC Q101
• MSL1 do 260°C szczytowy przepływ
• Temperatura pracy 175°C
• Produkt ekologiczny (zgodny z RoHS)
• 100% testowane pod kątem lawin
• Możliwość automatycznej kontroli optycznej (AOI)
| MOSFET | |
| RoHS: | Detale |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TDSON-8 | |
| Kanał N | |
| 2 kanały | |
| 60 V | |
| 20 lat | |
| 13,7 mOhm | |
| - 16 V, + 16 V | |
| 1,7 V | |
| 39 nC | |
| - 55 stopni Celsjusza | |
| + 175 stopni Celsjusza | |
| 50 W | |
| Wzmocnienie | |
| AEC-Q101 | |
| Rolka | |
| Wytnij taśmę | |
| MyszReel | |
| Konfiguracja: | Podwójny |
| Wysokość: | 1,27 mm |
| Długość: | 5,9 mm |
| Rodzaj produktu: | MOSFET |
| Ilość opakowania fabrycznego: | 5000 |
| Podkategoria: | MOSFET-y |
| Typ tranzystora: | 1 kanał N |
| Szerokość: | 5,15 mm |
| Część # Aliasy: | IPG20N06S4L-14A SP001023846 |
Wpisz swoją wiadomość
| Walton Electronics Co., Ltd. |
| 5C, Budynek D, GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN |
| 86-0755-8835-8585 |
| Walton-cara@walton-ic.com |
