DMN5L06DWK7 MOSFET podwójny kanał N 2 kanałowy mały sygnał tranzystory kdk smd tranzystory powierzchniowe

opis produktu

DMN5L06DWK7 MOSFET podwójny kanał N 2 kanałowy mały sygnał tranzystory kdk smd tranzystory powierzchniowe

Cechy

 Podwójny N-kanałowy MOSFET

 Niska rezystancja włączenia (maks. 1,0 V)

 Bardzo niskie napięcie progowe bramki

 Niska pojemność wejściowa

 Szybka prędkość przełączania

 Niski przeciek wejścia/wyjścia

 Bardzo mały pakiet do montażu powierzchniowego

 Ochrona ESD do 2kV

 Całkowicie bezołowiowy i w pełni zgodny z RoHS (uwagi 1 i 2)

 Bez halogenów i antymonu.Urządzenie „zielone” (Uwaga 3)

 Kwalifikacja do standardów AEC-Q101 dla wysokiej niezawodności

Dane mechaniczne

 Sprawa: SOT363

 Materiał obudowy: formowane tworzywo sztuczne, „zielona” mieszanka do formowania.Klasyfikacja palności UL 94V-0

 Wrażliwość na wilgoć: poziom 1 na J-STD-020

 Połączenia terminala: patrz schemat

 Zaciski: Wykończenie – matowa cyna wyżarzona na ramie ze stopu 42.Do lutowania zgodnie z MIL-STD-202, metoda 208

 Waga: 0,006 gramów (w przybliżeniu)