opis produktu
MRF9045LR1Tranzystory Tranzystory bipolarne RF Si oryginalne w magazynie
ASI MRF9045LR1 to wysokonapięciowy, metalizowany złotem,
bocznie rozproszony półprzewodnik z tlenku metalu.Idealny na dzisiejsze
Wzmacniacz mocy RF Aplikacje.
|
Tranzystory RF MOSFET |
| RoHS: |
Detale |
|
Kanał N |
|
Si |
|
4,25 A |
|
65 V |
|
945 MHz |
|
18,8 dB |
|
60 W |
|
SMD/SMT |
|
NI-360 |
|
Taca |
| Konfiguracja: |
Pojedynczy |
| Transkonduktancja do przodu - min: |
3 S |
| Pd - Rozpraszanie mocy: |
117 W |
| Rodzaj produktu: |
Tranzystory RF MOSFET |
| Podkategoria: |
MOSFET-y |
| Rodzaj: |
MOSFET mocy RF |
| Vgs - napięcie bramka-źródło: |
15 V |
| Vgs th — napięcie progowe bramka-źródło: |
4,8 V |
| Waga jednostkowa: |
0,032480 uncji |
Typowa dwójka•
−
Wydajność tonu przy 945 MHz, 28 woltów
Moc wyjściowa — 45 W PEP
Zysk mocy — 18,8 dB
Wydajność — 42%
IMD —
−
32 dBc
•
Zintegrowana ochrona ESD
•
Zaprojektowany z myślą o maksymalnym wzmocnieniu i płaskości fazy wstawiania
•
Zdolne do obsługi 10:1 VSWR, przy 28 V DC, 945 MHz, 45 W CW
Moc wyjściowa
•
Doskonała stabilność termiczna
•
Charakteryzuje się serią odpowiednik dużych
−
Parametry impedancji sygnału
•
W taśmie i rolce.Przyrostek R1 = 500 jednostek na 32 mm, 13-calowa rolka.
•
Niska grubość złocenia na wyprowadzeniach.Przyrostek L wskazuje 40
μ′′
Nominacja
•
Typowa dwójka
−
Wydajność tonu przy 945 MHz, 28 woltów
Moc wyjściowa — 45 W PEP
Zysk mocy — 18,8 dB
Wydajność — 42%
IMD —
−
32 dBc
•
Zintegrowana ochrona ESD
•
Zaprojektowany z myślą o maksymalnym wzmocnieniu i płaskości fazy wstawiania
•
Zdolne do obsługi 10:1 VSWR, przy 28 V DC, 945 MHz, 45 W CW
Moc wyjściowa
•
Doskonała stabilność termiczna
•
Charakteryzuje się serią odpowiednik dużych
−
Parametry impedancji sygnału
•
W taśmie i rolce.Przyrostek R1 = 500 jednostek na 32 mm, 13-calowa rolka.
•
Niska grubość złocenia na wyprowadzeniach.Przyrostek L wskazuje 40
μ′′
Nominacja
•
Typowa dwójka
−
Wydajność tonu przy 945 MHz, 28 woltów
Moc wyjściowa — 45 W PEP
Zysk mocy — 18,8 dB
Wydajność — 42%
IMD —
−
32 dBc
•
Zintegrowana ochrona ESD
•
Zaprojektowany z myślą o maksymalnym wzmocnieniu i płaskości fazy wstawiania
•
Zdolne do obsługi 10:1 VSWR, przy 28 V DC, 945 MHz, 45 W CW
Moc wyjściowa
•
Doskonała stabilność termiczna
•
Charakteryzuje się serią odpowiednik dużych
−
Parametry impedancji sygnału
•
W taśmie i rolce.Przyrostek R1 = 500 jednostek na 32 mm, 13-calowa rolka.
•
Niska grubość złocenia na wyprowadzeniach.Przyrostek L wskazuje 40
μ′′
Nominacja
•
Typowa dwójka
−
Wydajność tonu przy 945 MHz, 28 woltów
Moc wyjściowa — 45 W PEP
Zysk mocy — 18,8 dB
Wydajność — 42%
IMD —
−
32 dBc
•
Zintegrowana ochrona ESD
•
Zaprojektowany z myślą o maksymalnym wzmocnieniu i płaskości fazy wstawiania
•
Zdolne do obsługi 10:1 VSWR, przy 28 V DC, 945 MHz, 45 W CW
Moc wyjściowa
•
Doskonała stabilność termiczna
•
Charakteryzuje się serią odpowiednik dużych
−
Parametry impedancji sygnału
•
W taśmie i rolce.Przyrostek R1 = 500 jednostek na 32 mm, 13-calowa rolka.
•
Niska grubość złocenia na wyprowadzeniach.Przyrostek L wskazuje 40
μ′′
Nominacja
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Dane urządzenia RF
Półprzewodnik Freescale
Tranzystory polowe mocy RF
N
−
Ulepszenie kanału
−
Trybowe boczne tranzystory MOSFET
Zaprojektowany
do szerokopasmowych zastosowań komercyjnych i przemysłowych z częstotliwością
cie do 1000 MHz.Wysoki Ga
w i szerokopasmowej ich wydajności
urządzenia sprawiają, że są idealne do dużych
−
sygnał, wspólny
−
aplikacja wzmacniacza źródłowego
w 28-woltowym wyposażeniu stacji bazowej.
•
Typowa dwójka
−
Wydajność tonu przy 945 MHz, 28 woltów
Moc wyjściowa — 45 W PEP
Zysk mocy — 18,8 dB
Wydajność — 42%
IMD —
−
32 dBc
•
Zintegrowana ochrona ESD
•
Zaprojektowany z myślą o maksymalnym wzmocnieniu i płaskości fazy wstawiania
•
Zdolne do obsługi 10:1 VSWR, przy 28 V DC, 945 MHz, 45 W CW
Moc wyjściowa
•
Doskonała stabilność termiczna
•
Charakteryzuje się serią odpowiednik dużych
−
Parametry impedancji sygnału
•
W taśmie i rolce.Przyrostek R1 = 500 jednostek na 32 mm, 13-calowa rolka.
•
Niska grubość złocenia na wyprowadzeniach.Przyrostek L wskazuje 40
μ′′
Nie
